Silicon Carbide SiC Ingot 6inch N nooca dhumucda Dummy/prime waa la habeyn karaa

Silicon Carbide SiC Ingot 6inch N nooca dhumucda qaro weyn/darajada ugu fiican ayaa laga yaabaa in lagu habeeyey Sawirka Featured

Sharaxaad Gaaban:

Silicon Carbide (SiC) waa walax semiconductor ah oo ballaaran oo leh faa'iidooyin badan oo warshado kala duwan ah sababtoo ah sifooyinkeeda korontada, kuleylka, iyo farsamada sare. SiC Ingot oo ku jira heerka N-nooca Dummy/Prime ee 6-inji ah waxaa si gaar ah loogu talagalay soo saarista aaladaha semiconductor-ka ee horumarsan, oo ay ku jiraan codsiyada awoodda sare iyo kuwa soo noqnoqda sare leh. Iyada oo leh ikhtiyaarro dhumucdeed oo la beddeli karo iyo tilmaamo sax ah, ingot-kan SiC wuxuu bixiyaa xal ku habboon horumarinta aaladaha loo isticmaalo gawaarida korontada, nidaamyada tamarta warshadaha, isgaarsiinta, iyo qaybaha kale ee waxqabadka sare leh. Adkeysiga SiC ee xaaladaha danab sare, heerkulka sare, iyo kuwa soo noqnoqda sare leh wuxuu hubiyaa waxqabad waara, hufan, iyo mid la isku halleyn karo oo ku saabsan codsiyada kala duwan.
Ingot-ka SiC waxa uu ku jiraa cabbir 6-inji ah, dhexroorkiisuna waa 150.25mm ± 0.25mm iyo dhumucdiisuna waa ka weyn tahay 10mm, taasoo ka dhigaysa mid ku habboon jarista wafer-ka. Badeecadani waxay bixisaa jiho dusha sare ah oo si fiican loo qeexay oo ah 4° dhanka <11-20> ± 0.2°, taasoo hubinaysa saxnaan sare oo ku saabsan sameynta qalabka. Intaa waxaa dheer, ingot-ku wuxuu leeyahay jiho siman oo aasaasi ah oo ah <1-100> ± 5°, taasoo gacan ka geysanaysa isku-dubbaridka kiristaalka ugu wanaagsan iyo waxqabadka habaynta.
Iyada oo leh iska caabin sare oo u dhaxaysa 0.015–0.0285 Ω·cm, cufnaanta micropipe-ka oo hooseysa <0.5, iyo tayo aad u fiican, SiC Ingot-kan wuxuu ku habboon yahay soo saarista aaladaha korontada ee u baahan cillado yar iyo waxqabad sare xaaladaha daran.

Noo soo dir emayl

Astaamaha

Guryaha

Darajada: Darajada Wax Soo Saarka (Dummy/Prime)
Cabbirka: Dhexroorka 6-inch
Dhexroor: 150.25mm ± 0.25mm
Dhumucda: > 10mm (Dhumucda la habeyn karo waa la heli karaa marka la codsado)
Jihaynta Dusha Sare: 4° dhanka <11-20> ± 0.2°, taas oo hubinaysa tayada sare ee kiristaalka iyo isku-dubaridka saxda ah ee sameynta qalabka.
Jihada Fidsan ee Aasaasiga ah: <1-100> ± 5°, waa astaamo muhiim u ah jarista waxtarka leh ee ingot-ka ee loo geliyo wafers iyo koritaanka ugu wanaagsan ee kiristaalka.
Dhererka Fidsan ee Aasaasiga ah: 47.5mm ± 1.5mm, oo loogu talagalay maaraynta fudud iyo jarista saxda ah.
Iska caabin: 0.015–0.0285 Ω·cm, oo ku habboon isticmaalka aaladaha korontada ee waxtarka sare leh.
Cufnaanta Tuubooyinka Yaryar: <0.5, taasoo hubinaysa cilladaha ugu yar ee saameyn kara waxqabadka aaladaha la farsameeyay.
BPD (Boron Pitting Cufnaanta): <2000, qiimo hooseeya oo tilmaamaya daahirnimo sare oo kiristaalo ah iyo cufnaan cilladaysan oo hooseeya.
TSD (Cufnaanta Kala-baxa Kuleylka Maqaarka): <500, taasoo hubinaysa hufnaan agab oo heer sare ah oo loogu talagalay aaladaha waxqabadka sare leh.
Meelaha Nooca Polytype-ka ah: Midna - xuubka ayaa ka xor ah cillado nooca polytype ah, isagoo bixinaya tayo sare oo agab ah oo loogu talagalay codsiyada heerka sare ah.
Meelaha Cidhifka ah: <3, oo leh ballac iyo qoto dheer oo 1mm ah, hubinta burburka dusha sare ee ugu yar iyo ilaalinta daacadnimada ingot si loo sameeyo jarista wafer hufan.
Dildilaaca geeska: 3, <1mm midkiiba, iyadoo ay yar tahay waxyeelada geeska, taasoo hubinaysa in si ammaan ah loo maareeyo oo loo sii farsameeyo.
Baakad: Kiis Wafer ah - Ingot-ka SiC si ammaan ah ayaa loogu shubay kiis wafer ah si loo hubiyo gaadiid iyo maarayn ammaan ah.

Codsiyada

Elektarooniga Korontada:Ingot-ka SiC ee 6-inji ah ayaa si weyn loogu isticmaalaa soo saarista aaladaha elektaroonigga ah ee awoodda leh sida MOSFETs, IGBTs, iyo diodes, kuwaas oo ah qaybo muhiim u ah nidaamyada beddelka awoodda. Qalabkan waxaa si weyn loogu isticmaalaa inverters-ka baabuurta korontada ku shaqeeya (EV), darawallada matoorada warshadaha, sahayda korontada, iyo nidaamyada kaydinta tamarta. Awoodda SiC ee ay ku shaqeyso danab sare, mawjado sare, iyo heerkul aad u daran ayaa ka dhigaysa mid ku habboon codsiyada halkaas oo aaladaha silicon (Si) dhaqameed ay ku dhibtoon doonaan inay si hufan u shaqeeyaan.

Gawaarida Korontada (EVs):Gawaarida korontada ku shaqeeya, qaybaha ku salaysan SiC ayaa muhiim u ah horumarinta modules-ka korontada ku shaqeeya ee inverters-ka, beddelayaasha DC-DC, iyo kuwa saaran. Gudbinta kulaylka ee sare ee SiC waxay u oggolaanaysaa soo saarista kulaylka oo yaraata iyo hufnaan wanaagsan oo ku saabsan beddelka awoodda, taas oo muhiim u ah kor u qaadista waxqabadka iyo kala duwanaanshaha wadista baabuurta korontada ku shaqeeya. Intaa waxaa dheer, aaladaha SiC waxay awood u siinayaan qaybo yaryar, fudud, iyo kuwo la isku halleyn karo, taasoo gacan ka geysanaysa waxqabadka guud ee nidaamyada EV.

Nidaamyada Tamarta La Cusboonaysiin Karo:Qalabka SiC waa walxo muhiim u ah horumarinta aaladaha beddelka korontada ee loo isticmaalo nidaamyada tamarta la cusboonaysiin karo, oo ay ku jiraan kuwa tamarta dib loo cusboonaysiin karo, marawaxadaha dabaysha, iyo xalalka kaydinta tamarta. Awoodaha maaraynta awoodda sare ee SiC iyo maaraynta kulaylka hufan waxay u oggolaanayaan hufnaan sare oo beddelka tamarta ah iyo isku halaynta la hagaajiyay ee nidaamyadan. Isticmaalkeeda tamarta la cusboonaysiin karo waxay gacan ka geysataa dardargelinta dadaallada caalamiga ah ee ku wajahan waaritaanka tamarta.

Isgaarsiinta:Qalabka SiC ee 6-inji ah ayaa sidoo kale ku habboon soo saarista qaybaha loo isticmaalo codsiyada RF-ga awoodda sare leh (raadiyaha). Kuwaas waxaa ka mid ah cod-weyneeyayaasha, oscillators-ka, iyo shaandheeyayaasha loo isticmaalo isgaarsiinta iyo nidaamyada isgaarsiinta dayax-gacmeedka. Awoodda SiC ay u maareyso mawjadaha sare iyo awoodda sare waxay ka dhigaysaa agab aad u fiican aaladaha isgaarsiinta ee u baahan waxqabad adag iyo luminta calaamadda ugu yar.

Hawada Sare iyo Difaaca:Danabka burburka sare ee SiC iyo iska caabbinta heerkulka sare waxay ka dhigayaan mid ku habboon codsiyada hawada sare iyo difaaca. Qaybaha laga sameeyay ingots-ka SiC waxaa loo isticmaalaa nidaamyada radar, isgaarsiinta dayax-gacmeedka, iyo elektaroonigga korontada ee diyaaradaha iyo dayax-gacmeedka. Alaabooyinka ku salaysan SiC waxay awood u siinayaan nidaamyada hawada sare inay ku shaqeeyaan xaaladaha ba'an ee lagu arko hawada sare iyo deegaannada sare.

Otomaatigga Warshadaha:Qalabka otomaatiga ah ee warshadaha, qaybaha SiC waxaa loo isticmaalaa dareemayaasha, hawl-wadeennada, iyo nidaamyada xakamaynta ee u baahan inay ka shaqeeyaan jawi adag. Qalabka ku salaysan SiC waxaa loo isticmaalaa mashiinno u baahan qaybo hufan oo waara oo awood u leh inay u adkeystaan heerkulka sare iyo walbahaarka korantada.

Shaxda Qeexitaanka Alaabta

Hantida	Faahfaahinta
Fasal	Wax soo saar (Dummy/Prime)
Cabbirka	6-inji
Dhexroorka	150.25mm ± 0.25mm
Dhumucda	>10mm (La habeyn karo)
Jihaynta Dusha Sare	4° dhanka <11-20> ± 0.2°
Jihada Fidsan ee Aasaasiga ah	<1-100> ± 5°
Dhererka Fidsan ee Aasaasiga ah	47.5mm ± 1.5mm
Iska caabin	0.015–0.0285 Ω·cm
Cufnaanta Tuubooyinka Yaryar	<0.5
Cufnaanta Boron Pitting (BPD)	<2000
Cufnaanta Kala-baxa Boorsooyinka Maqaarka (TSD)	<500
Meelaha Nooca Badan leh	Midna ma jiro
Laalaabyada Cidhifka	<3, 1mm ballaca iyo qoto dheer
Dildilaaca Geesaha	3, <1mm/each
Baakad	Kiis Wafer ah

Gunaanad

Heerka 6-inji ah ee SiC Ingot – N-type Dummy/Prime waa agab heer sare ah oo buuxiya shuruudaha adag ee warshadaha semiconductor-ka. Awooddeeda kulaylka sare, iska caabinta gaarka ah, iyo cufnaanta cilladaha hooseeya ayaa ka dhigaya doorasho aad u fiican oo loogu talagalay soo saarista aaladaha elektaroonigga ah ee awoodda sare leh, qaybaha baabuurta, nidaamyada isgaarsiinta, iyo nidaamyada tamarta la cusboonaysiin karo. Dhumucda iyo qeexitaannada saxda ah ee la beddeli karo waxay hubinayaan in maaddadan SiC loo habeyn karo codsiyo badan, iyadoo la hubinayo waxqabad sare iyo isku hallayn jawi adag. Wixii macluumaad dheeraad ah ama si aad u dalbato, fadlan la xiriir kooxdayada iibka.