SiC-ga nus-dabool ah ee ku jira Substrate-ka Isku-dhafka ah ee Si

Isku-darkaani wuxuu bixiyaa dhowr faa'iido oo ku saabsan wax-soo-saarka elektaroonigga ah:

Iswaafajinta: Isticmaalka substrate-ka silicon wuxuu ka dhigayaa mid la jaan qaadi kara farsamooyinka habaynta ee ku salaysan silicon-ka caadiga ah wuxuuna u oggolaanayaa isdhexgalka hababka wax soo saarka semiconductor-ka ee jira.

Waxqabadka heerkulka sare: SiC wuxuu leeyahay kuleyl aad u fiican wuxuuna ku shaqeyn karaa heerkul sare, taasoo ka dhigaysa mid ku habboon isticmaalka elektaroonigga ah ee awoodda sare leh iyo kuwa soo noqnoqda.

Danab Jaban oo Sare: Agabka SiC wuxuu leeyahay danab jaban oo sare wuxuuna u adkeysan karaa goobaha korantada sare iyada oo aan lahayn jaban koronto.

Lumista Awoodda oo La Yareeyay: Substrates-ka SiC waxay u oggolaanayaan beddelka awoodda oo hufan iyo luminta awoodda oo yar marka loo eego walxaha ku salaysan silikoon-ka dhaqameed.

Ballaca ballaaran: SiC wuxuu leeyahay ballac ballaaran, taasoo u oggolaanaysa horumarinta aaladaha elektaroonigga ah ee ku shaqeyn kara heerkul sare iyo cufnaanta awoodda sare.

Markaa SiC-ga nus-daboolaya ee ku jira walxaha isku-dhafan ee Si wuxuu isku daraa iswaafajinta silicon iyo sifooyinka korantada iyo kulaylka sare ee SiC, taasoo ka dhigaysa mid ku habboon codsiyada elektaroonigga ah ee waxqabadka sare leh.

Xirmooyinka iyo Bixinta

1. Waxaan isticmaali doonnaa balaastik ilaalin ah iyo sanduuq gaar ah oo loogu talagalay baakadaha. (Alaab u roon deegaanka)

2. Waxaan samayn karnaa baakado gaar ah iyadoo loo eegayo tirada.

3. DHL/Fedex/UPS Express badanaa waxay qaadataa qiyaastii 3-7 maalmood oo shaqo si ay u tagaan meesha loo socdo.