N-Nooca SiC Isku-dhafka Substrates Dia6inch monocrystaline tayo sare leh iyo substrate tayo hoose leh

Magacaabista "N-nooca" waxaa loola jeedaa nooca doping-ka ee loo isticmaalo agabka SiC. Fiisigiska semiconductor-ka, doping-ku waxa ay ku lug leedahay u soo bandhigida ula kac ah ee wasakhda ah semiconductor si loo beddelo sifooyinka korantada. N-nooca doping-ku wuxuu soo bandhigayaa walxo siiya xad-dhaafka elektaroonigga lacag-la'aanta ah, taasoo siinaya walxaha xooga-qaadiyaha lacag-qaadka taban.

Faa'iidooyinka N-nooca SiC substrate-ka isku dhafan waxaa ka mid ah:

1. Waxqabadka heerkulka sare: SiC waxay leedahay kororka kuleylka sarreeya waxayna ku shaqeyn kartaa heerkul sare, taas oo ka dhigaysa mid ku habboon codsiyada elektarooniga ah ee awoodda sare iyo kuwa soo noqnoqda.

2. Korantada burburka sare leh: Qalabka SiC waxay leeyihiin koronto jaban oo sarreeya, taas oo u oggolaanaysa inay u adkeystaan ​​​​ beeraha koronto ee sarreeya iyada oo aan la helin koronto.

3. Kiimikada iyo iska caabinta deegaanka: SiC waa mid kiimiko ahaan u adkaysata waxayna u adkeysan kartaa xaaladaha adag ee deegaanka, taasoo ka dhigaysa mid ku habboon in loo isticmaalo codsiyada adag.

4. Awoodda la dhimay: Marka la barbar dhigo agabka silikoon-ku-salaysan ee dhaqameed, substrate-yada SiC waxay awood u siinayaan beddelka awood wax ku ool ah waxayna yareeyaan khasaaraha tamarta ee aaladaha elektiroonigga ah.

5. Bandgap ballaaran: SiC waxay leedahay faashad ballaadhan, taas oo u oggolaanaysa horumarinta qalabka elektaroonigga ah ee ku shaqeyn kara heerkul sare iyo cufnaanta awoodda sare.

Isku soo wada duuboo, N-nooca SiC kaabadaha isku-dhafka ah ayaa bixiya faa'iidooyin la taaban karo oo loogu talagalay horumarinta aaladaha elektiroonigga ah ee waxqabadka sarreeya, gaar ahaan codsiyada halka hawlgalka heerkulka sare, cufnaanta awoodda sare, iyo beddelka tamarta hufan ay muhiim tahay.