InSb wafer 2inch 3inch Ntype P nooca hanuuninta aan la xidhin

Sharaxaad Gaaban:

Waferrada Indium Antimonide (InSb) waa maaddooyinka muhiimka ah ee loo isticmaalo teknoolojiyadda ogaanshaha infrared-ka iyadoo ay ugu wacan tahay faadhkooda cidhiidhiga ah iyo dhaqdhaqaaqa elektarooniga ah ee sarreeya. Waxaa lagu heli karaa dhexroorka 2-inch iyo 3-inch, maraqyadaan waxaa lagu bixiyaa kala duwanaansho la'aan, nooca N, iyo nooca P-ga. Wafers-yada waxaa lagu farsameeyay hanuuninta 100 iyo 111, taasoo bixisa dabacsanaan loogu talagalay ogaanshaha infrared kala duwan iyo codsiyada semiconductor. Dareenka sare iyo dhawaaqa hoose ee wafers InSb ayaa ka dhigaya kuwo ku habboon in loo isticmaalo qalabka wax-sheegayaasha infrared-ka-mawjadaha (MWIR), hababka sawir-qaadista, iyo codsiyada kale ee optoelectronic ee u baahan saxnaanta iyo kartida waxqabadka sare.

Email noogu soo dir

Faahfaahinta Alaabta

Tags Product

Astaamaha

Ikhtiyaarada Doping:
1.Lama kala guurin:Wafersyadani waa ka xor yihiin wax kasta oo doping ah waxaana ugu horrayn loo isticmaalaa codsiyada khaaska ah sida koritaanka epitaxial, halkaas oo maraqyadu u shaqeyso sidii substrate saafi ah.
2.N-Nooca (Te Doped):Tellurium (Te) doping waxaa loo isticmaalaa in lagu abuuro wafers nooca N-ka ah, oo bixisa dhaqdhaqaaqa elektarooniga ah oo sarreeya oo ka dhigaya kuwa ku habboon qalabka wax baara ee infrared, elektiroonigga xawaaraha sare leh, iyo codsiyada kale ee u baahan socodka elektarooniga ah ee hufan.
3.P-Nooca (Ge Doped):Germanium (Ge) doping waxaa loo isticmaalaa in lagu abuuro waferrada nooca P-ga ah, taasoo bixisa dhaq-dhaqaaq dalool sare leh iyo bixinta waxqabad aad u fiican oo loogu talagalay dareemayaasha infrared iyo sawir-qaadayaasha.

Xulashada cabbirka:
1. Wafers ayaa laga heli karaa 2-inch iyo 3-inch dhexroor. Tani waxay hubinaysaa la jaanqaadka hababka iyo qalabka wax-soo-saarka semiconductor ee kala duwan.
2.Waferka 2-inji wuxuu leeyahay dhexroor 50.8 ± 0.3mm, halka 3-inch wafer uu leeyahay dhexroor 76.2 ± 0.3mm.

Hanuuninta:
1. Wafers-yada waxaa lagu heli karaa hanuuninta 100 iyo 111. Jihaynta 100 waxay ku habboon tahay qalabka elektaroonigga ah ee xawaaraha sare leh iyo qalabka infrared, halka jihada 111 badanaa loo isticmaalo qalabka u baahan qalab koronto ama muuqaal gaar ah.

Tayada dusha sare:
1. Wafers-yadani waxay la yimaadaan sagxadaha la safeeyey / dhejiska tayada aad u fiican, taas oo awood u siinaysa waxqabadka ugu fiican ee codsiyada u baahan sifooyin muuqaal ah ama koronto.
2.Diyaarinta dusha sare waxay hubisaa cufnaanta cilladaha hooseeya, taasoo ka dhigaysa waferradan ku habboon codsiyada ogaanshaha infrared halkaasoo joogteynta waxqabadka ay muhiim tahay.

Epi-Diyaar:
1. Wafers-yadani waa kuwo diyaarsan, iyaga oo ka dhigaya kuwo ku habboon codsiyada ku lug leh koritaanka epitaxial halkaas oo lakabyo dheeraad ah oo walxo ah lagu dhejin doono wafer-ka loogu talagalay semiconductor sare ama qalabaynta qalabka optoelectronic.

Codsiyada

1. Baaraha Infrared:Waferrada InSb waxa si weyn loogu isticmaalaa samaynta qalabka wax baadha ee infrared, gaar ahaan inta u dhaxaysa mawjadaha dhererka dhexe (MWIR). Waxay lagama maarmaan u yihiin hababka aragga habeenkii, sawir-qaadista kulaylka, iyo codsiyada milatariga.
2. Nidaamyada Sawirka Infrared:Dareenka sare ee waferrada InSb waxay u ogolaataa sawirida infrared-ka saxda ah ee qaybo kala duwan, oo ay ku jiraan amniga, ilaalinta, iyo cilmi baarista sayniska.
3.Xawaare Sare oo Elektroonik ah:Dhaqdhaqaaqooda elektaroonigga ah ee sarreeya awgeed, waferradan waxaa loo adeegsadaa aaladaha elektiroonigga ah ee horumarsan sida transistor-xawaaraha sare iyo aaladaha indhaha.
4. Qalabka Ceelka Quantum:Waferrada InSb waxay ku habboon yihiin codsiyada ceelka quantum ee laysarka, qalabka wax baara, iyo nidaamyada kale ee optoelectronic.

Qiyaasta Alaabta

Halbeegga	2-inch	3-inch
Dhexroorka	50.8± 0.3mm	76.2 ± 0.3mm
Dhumucda	500± 5μm	650± 5μm
Dusha sare	La sifeeyay/la ekaaday	La sifeeyay/la ekaaday
Nooca Doping	Aan la kordhin, Te-doped (N), Ge-doped (P)	Aan la kordhin, Te-doped (N), Ge-doped (P)
Hanuuninta	100, 111	100, 111
Xidhmada	Keli	Keli
Epi-Diyaar	Haa	Haa

Qiyaasta Korontada ee Te Doped (N-Nooca):

Dhaqdhaqaaqa: 2000-5000 cm²/V·s
iska caabin: (1-1000) Ω·cm
EPD (cufnaanta cilladaysan): ≤2000 cilladood/cm²

Qiyaasta Korontada ee Ge Doped (P-Nooca):

Dhaqdhaqaaqa: 4000-8000 cm²/V·s
iska caabin: (0.5-5) Ω·cm

EPD (cufnaanta cilladaysan): ≤2000 cilladood/cm²

Q&A (Su'aalaha Inta Badan La Isweydiiyo)

Q1: Waa maxay nooca doping ku habboon ee codsiyada ogaanshaha infrared?

A1:Te-doped (N-nooca)Wafers ayaa caadi ahaan ah doorashada ugu habboon ee codsiyada ogaanshaha infrared, maadaama ay bixiyaan dhaqdhaqaaqa elektarooniga ah oo sarreeya iyo wax qabad heersare ah oo ku saabsan qalabka wax-baraya ee infrared-ka-mawjadda-dhexe (MWIR) iyo nidaamyada sawirka.

Q2: Ma u isticmaali karaa waferradan codsiyada elektarooniga ah ee xawaaraha sarreeya?

A2: Haa, Waferrada InSb, gaar ahaan kuwa lehNooca N-dopingiyo100 hanuunin, waxay si fiican ugu habboon yihiin qalabka elektaroonigga ah ee xawaaraha sare leh sida transistor-ka, qalabka ceelka quantum, iyo qaybaha optoelectronic sababtoo ah dhaqdhaqaaqa sare ee elektaroonigga ah.

Q3: Waa maxay faraqa u dhexeeya 100 iyo 111 hanuuninta ee waferrada InSb?

A3: The100hanuuninta waxaa caadi ahaan loo isticmaalaa aaladaha u baahan waxqabadka elektarooniga ah ee xawaaraha sare leh, halka111hanuuninta waxaa inta badan loo isticmaalaa codsiyo gaar ah oo u baahan sifooyin koronto ama muuqaalo kala duwan, oo ay ku jiraan qaar ka mid ah aaladaha optoelectronic iyo dareemayaasha.

Q4: Waa maxay muhiimada ay leedahay sifada Epi-u diyaarsan ee waferrada InSb?

A4: TheEpi-Diyaarsifada macneheedu waxa weeye in waferka hore loo daaweeyay hababka dhigista epitaxial. Tani waxay muhiim u tahay codsiyada u baahan kobaca lakabyo dheeraad ah oo wafer ah, sida soo saarista semiconductor horumarsan ama aaladaha indhaha ee indhaha.

Q5: Waa maxay codsiyada caadiga ah ee wafers InSb ee goobta tignoolajiyada infrared?

A5: Waferrada InSb waxaa ugu horrayn loo adeegsadaa ogaanshaha infrared, sawir-qaadista kulaylka, hababka aragga habeenkii, iyo teknoolojiyadda kale ee dareenka infrared. Dareenkooda sare iyo qaylada hoose ayaa ka dhigaya kuwo ku habboonInfrared dhexda mawjadda dheer (MWIR)qalabka wax lagu ogaado.

Q6: Sidee buu dhumucda waferku u saameeyaa waxqabadkiisa?

A6: Dhumucdiisuna waxay ka ciyaartaa door muhiim ah xasiloonida farsamada iyo sifooyinka korantada. Waferrada dhuuban waxaa badanaa loo adeegsadaa codsiyo xasaasi ah oo loo baahan yahay in si sax ah loo xakameeyo alaabada, halka maraqa dhumucdiisuna ay sii xoojisay adkeysiga codsiyada warshadaha qaarkood.

Q7: Sideen ku dooran karaa cabbirka wafer ee ku habboon codsigayga?

A7: Cabbirka wafer ee ku habboon wuxuu ku xiran yahay qalabka gaarka ah ama nidaamka la naqshadeeyay. Wafers yar yar (2-inch) ayaa inta badan loo isticmaalaa cilmi baaris iyo codsiyo yar yar, halka maraqa waaweyn (3-inji) sida caadiga ah loo isticmaalo wax soo saarka ballaaran iyo qalabka waaweyn ee u baahan walxo badan.

Gabagabo

InSb wafers gudaha2-inchiyo3-inchcabbirada, lehlaab-laaban, N-noocaiyoNooca Pkala duwanaanshiyaha, ayaa aad ugu qiimo badan codsiyada semiconductor iyo optoelectronic, gaar ahaan nidaamyada ogaanshaha infrared. The100iyo111hanuunintu waxay siisaa dabacsanaan baahida tignoolajiyadeed ee kala duwan, laga bilaabo elektiroonigga xawaaraha sare leh ilaa nidaamyada sawirka infrared. Dhaqdhaqaaqooda elektarooniga ah ee gaarka ah, qaylada hoose, iyo tayada saxda ah ee dusha sare, waferradan ayaa ku habboonqalabka wax baadha infrared dhexda-mawjadahaiyo codsiyada kale ee waxqabadka sare.