Wafer laysarka GaAs ah oo leh dalool toosan oo VCSEL ah oo hawada sare ka soo baxa hirarka laysarka 940nm oo isku xir ah

Wafer laysarka GaAs ah oo leh dalool toosan oo VCSEL ah oo leh dalool toosan oo hawada sare ah oo leh hirarka laysarka 940nm oo isku xir ah oo keliya Sawirka La Soo Bandhigay

Sharaxaad Gaaban:

Naqshad gaar ah oo macaamiisha u gaar ah oo loogu talagalay Gigabit Ethernet laser arraysyo isku mid ah oo 6-inji ah oo ah wafers 850/940nm oo ah hirarka indhaha ee dhexe oxide xaddidan ama proton-ku-tallaaliyay isgaarsiinta xogta dhijitaalka ah ee VCSEL, astaamaha korontada jiirka iyo indhaha ee laysarka ayaa xasaasiyad yar ku leh heerkulka. VCSEL-940 Single Junction waa laser dusha sare ee daloolka toosan (VCSEL) oo leh hirarka qiiqa oo caadi ahaan qiyaastii 940 nanometers ah. Laser-yada noocan oo kale ah waxay caadi ahaan ka kooban yihiin hal ceel oo quantum ah waxayna awood u leeyihiin inay bixiyaan iftiin hufan. Mowjadda 940 nanometers waxay ka dhigaysaa spectrum-ka infrared-ka, oo ku habboon codsiyo kala duwan. Marka la barbardhigo noocyada kale ee laysarka, VCsels waxay leeyihiin hufnaan beddelka elektro-optical oo sarreeya. Xirmada VCSEL waa mid yar oo si fudud loo dhexgelin karo. Codsiga ballaaran ee VCSEL-940 wuxuu ka dhigay inay door muhiim ah ka ciyaarto tignoolajiyada casriga ah.

Noo soo dir emayl

Astaamaha

Astaamaha ugu muhiimsan ee warqadda epitaxial laser-ka GaAs waxaa ka mid ah

1. Qaab-dhismeedka hal-isgoys: Laser-kani wuxuu badanaa ka kooban yahay hal ceel oo quantum ah, kaas oo bixin kara iftiin hufan.
2. Mowjadaha hirarka: Mowjadaha hirarka ee 940 nm waxay ka dhigayaan mid ku jira kala duwanaanshaha infrared-ka, oo ku habboon isticmaalka kala duwan.
3. Waxtar sare: Marka la barbardhigo noocyada kale ee laysarka, VCSEL waxay leedahay hufnaan sare oo beddelka elektaroonigga ah.
4. Isku-dhafnaan: Xirmada VCSEL waa mid yar oo si fudud loo dhexgelin karo.

5. Heerka hoose ee hadda jira iyo hufnaan sare: Laysar-yada qaab-dhismeedka heterostructure-ka ah ee la aasay waxay muujiyaan cufnaanta heerka hadda jira ee lasing-ka oo aad u hooseysa (tusaale ahaan 4mA/cm²) iyo hufnaanta kala duwanaanshaha dibadda oo sareysa (tusaale ahaan 36%), iyadoo awoodda wax soo saarka toosan ay ka badan tahay 15mW.
6. Xasiloonida qaabka hagaha hirarka: laysarka heterostructure-ka ee aasan wuxuu leeyahay faa'iidada xasilloonida qaabka hagaha hirarka sababtoo ah habka hagaha hirarka ee hagaya tusmada refractive iyo ballaca xarigga firfircoon ee cidhiidhiga ah (qiyaastii 2μm).
7. Waxtarka beddelka sawir-qaadista oo aad u fiican: Iyadoo la hagaajinayo habka koritaanka epitaxial, waxtarka sare ee quaantumka gudaha iyo hufnaanta beddelka sawir-qaadista ayaa la heli karaa si loo yareeyo khasaaraha gudaha.
8. Kalsooni sare iyo cimri: Tiknoolajiyada koritaanka epitaxial tayo sare leh waxay diyaarin kartaa xaashiyo epitaxial ah oo leh muuqaal dusha sare oo wanaagsan iyo cufnaan cilladaysan oo hooseeya, taasoo hagaajinaysa isku halaynta badeecada iyo cimrigeeda.
9. Ku habboon codsiyo kala duwan: Xaashida epitaxial ee ku salaysan laysarka diode-ka ee GAAS ayaa si weyn loogu isticmaalaa isgaarsiinta fiber-ka indhaha, codsiyada warshadaha, qalabka ogaanshaha infrared-ka iyo photodetectors-ka iyo meelaha kale.

Siyaabaha ugu muhiimsan ee loo adeegsado xaashida epitaxial ee laser-ka GaAs waxaa ka mid ah

1. Isgaarsiinta indhaha iyo isgaarsiinta xogta: Wafer-yada epitaxial ee GaAs waxaa si weyn loogu isticmaalaa dhinaca isgaarsiinta indhaha, gaar ahaan nidaamyada isgaarsiinta indhaha ee xawaaraha sare leh, si loo soo saaro aaladaha optoelectronic sida laysarka iyo qalabka wax lagu ogaado.

2. Codsiyada warshadaha: Xaashiyaha epitaxial ee laysarka GaAs sidoo kale waxay leeyihiin isticmaal muhiim ah oo ku saabsan codsiyada warshadaha, sida farsamaynta laysarka, cabbirka iyo dareenka.

3. Qalabka elektarooniga macaamiisha: Qalabka elektarooniga macaamiisha, GaAs epitaxial wafers waxaa loo isticmaalaa in lagu sameeyo VCsels (laysarka dusha sare ee daloolka toosan), kuwaas oo si weyn loogu isticmaalo taleefannada casriga ah iyo qalabka elektarooniga macaamiisha kale.

4. Codsiyada Rf: Agabka GaAs wuxuu leeyahay faa'iidooyin muhiim ah oo ku jira goobta RF waxaana loo isticmaalaa in lagu soo saaro aaladaha RF ee waxqabadka sare leh.

5. Laser-yada Quantum Dot: Laser-yada Quantum Dot ee ku salaysan GAAS waxaa si weyn loogu isticmaalaa isgaarsiinta, caafimaadka iyo militariga, gaar ahaan qaybta isgaarsiinta indhaha ee 1.31µm.

6. Beddelka Q ee Dadban: nuugaha GaAs waxaa loo isticmaalaa laysarka xaalad adag oo diode-ka lagu riixo oo leh badhanka Q ee dadban, kaas oo ku habboon mishiinnada yaryar, kala-soocidda iyo qalliinka yar yar.

Codsiyadani waxay muujinayaan kartida wafer-yada epitaxial ee laser-ka GaAs ee noocyo badan oo codsiyo tignoolajiyadeed sare ah.

XKH waxay bixisaa buskudyo epitaxial ah oo GaAs ah oo leh qaab-dhismeedyo iyo dhumucyo kala duwan oo loogu talagalay shuruudaha macaamiisha, iyagoo daboolaya codsiyo kala duwan sida VCSEL/HCSEL, WLAN, saldhigyada saldhigga 4G/5G, iwm. Badeecadaha XKH waxaa lagu sameeyaa iyadoo la adeegsanayo qalab casri ah oo MOCVD ah si loo hubiyo waxqabad sare iyo isku hallayn. Marka laga hadlayo saadka, waxaan leenahay noocyo badan oo kanaallo caalami ah oo ilo ah, waxaan si dabacsan u maarayn karnaa tirada dalabaadka, waxaanan bixin karnaa adeegyo qiimo leh sida khafiifinta, kala-qaybinta, iwm. Hababka keenista hufan waxay hubinayaan keenista waqtiga ku habboon waxayna buuxinayaan shuruudaha macaamiisha ee tayada iyo waqtiyada keenista. Ka dib imaatinka, macaamiishu waxay heli karaan taageero farsamo oo dhammaystiran iyo adeeg iib kadib si loo hubiyo in badeecada si habsami leh loo isticmaalo.