GaAs laser epitaxial wafer 4 inch 6 inch VCSEL dalool toosan oogada sare ee qiiqa laysarka hirarka hirarka 940nm hal isgoys

GaAs laser epitaxial wafer 4 inch 6 inch VCSEL dalool toosan oogada sare ee qiiqa leysarka dhererka hirarka 940nm hal isgoys oo muuqaal leh

Sharaxaad Gaaban:

Naqshad cayiman oo macaamiisha ah Gigabit Ethernet laser arrays oo loogu talagalay isku mid ahaanshaha sare 6-inji wafers 850/940nm xarunta wavelength oxide xaddidan ama proton-lagu beeray VCSEL isku xirka xogta dhijitaalka ah, mouse korantada iyo sifooyinka indhaha dareenka hoose ee heerkulka. VCSEL-940 Single Junction waa dalool toosan oo soo saaraysa laysarka (VCSEL) oo leh mawjadaha qiiqa sii daaya sida caadiga ah qiyaastii 940 nanometers. Laysarka noocan oo kale ah waxay caadi ahaan ka kooban yihiin hal tiro oo ceel ah waxayna awood u leeyihiin inay bixiyaan iftiin hufan. Dhererka hirarka 940 nanometer wuxuu ka dhigayaa in spectrum infrared, ku habboon codsiyada kala duwan. Marka la barbar dhigo noocyada kale ee laysarka, VCsels waxay leeyihiin wax ku ool ah beddelka elektro-optical sare. Xirmada VCSEL waa mid yar oo fudud in la isku daro. Codsiga ballaaran ee VCSEL-940 ayaa ka dhigay inay door muhiim ah ka ciyaarto tignoolajiyada casriga ah.

Email noogu soo dir

Faahfaahinta Alaabta

Tags Product

Astaamaha ugu muhiimsan ee GaAs xaashida epitaxial laser waxaa ka mid ah

1. Qaab-dhismeedka hal-is-goysyada: laser-kani wuxuu inta badan ka kooban yahay hal ceel oo tiro ah, kaas oo bixin kara iftiin hufan.
2. Wavelength: Mawjada dhererka ee 940 nm waxay ka dhigaysaa xajmiga infrared spectrum, oo ku habboon codsiyada kala duwan.
3. Waxtarka sare: Marka la barbar dhigo noocyada kale ee leysarka, VCSEL waxay leedahay wax ku ool ah beddelka elektro-optical sare.
4. Compactness: Xirmada VCSEL waa mid yar oo fudud in la isku daro.

5. Heerka hoose ee hadda jira iyo waxtarka sare leh: Laysarka heterostructure ee la aasay ayaa muujinaya cufnaanta hadda jirta ee laas-ka-hooseeya (tusaale 4mA/cm²) iyo waxtarka tirada badan ee dibadeed ee sarreeya (tusaale 36%), oo leh awood wax soo saar toos ah oo ka badan 15mW.
6. xasiloonida qaabka Waveguide: Laydhka heterostructure ee la aasay ayaa faa'iido u leh xasiloonida qaabka waveguide sababtoo ah habka waveguide index refractive hanuuniyo iyo ballaca faleebo firfircoon oo cidhiidhi ah (qiyaastii 2μm).
7. Wax ku oolnimada beddelka sawir-qaadista ee aad u fiican: Iyadoo la wanaajinayo habka kobaca epitaxial, waxtarka tirada gudaha ee sare iyo waxtarka beddelka sawir-qaadista ayaa la heli karaa si loo yareeyo khasaaraha gudaha.
8. Isku halaynta sare iyo nolosha: Tiknoolajiyada kobaca epitaxial ee tayada sare leh waxay diyaarin kartaa xaashida epitaxial leh muuqaalka kore ee wanaagsan iyo cufnaanta cilladda hooseeya, hagaajinta kalsoonida alaabta iyo nolosha.
9. Ku habboon codsiyo kala duwan: Xaashiyaha epitaxial laser diode-ku-salaysan ee GAAS ayaa si weyn loogu isticmaalaa isgaarsiinta fiber-ka, codsiyada warshadaha, infrared iyo sawir-qaadayaasha iyo qaybaha kale.

Siyaabaha ugu muhiimsan ee loo isticmaalo xaashida epitaxial laser GaAs waxaa ka mid ah

1. Isgaadhsiinta indhaha iyo isgaadhsiinta xogta: GaAs wafers epitaxial ayaa si weyn loogu isticmaalaa goobta isgaarsiinta indhaha, gaar ahaan hababka isgaarsiinta xawaaraha sare, si loo soo saaro qalabyada optoelectronic sida lasers iyo detectors.

2. Codsiyada warshadaha: GaAs xaashida epitaxial laser waxay sidoo kale leeyihiin isticmaalka muhiimka ah ee codsiyada warshadaha, sida farsamaynta laser, cabbirka iyo dareenka.

3. Electronics-ka macaamiisha: Qalabka elegtarooniga ah ee macaamiisha, waferrada Epitaxial GaAs waxaa loo isticmaalaa in lagu soo saaro VCsels (laysarka dalool toosan), kuwaas oo si weyn loogu isticmaalo taleefannada casriga ah iyo kuwa kale ee elektiroonigga ah ee macaamiisha ah.

4. Codsiyada Rf: Qalabka GaAs waxay leeyihiin faa'iidooyin la taaban karo oo ku jira goobta RF waxaana loo isticmaalaa in lagu soo saaro qalabka RF ee waxqabadka sare leh.

5. Quantum dot lasers: Dhibcaha quantum-ku-salaysan ee GAAS ayaa si weyn loogu isticmaalaa isgaarsiinta, caafimaadka iyo goobaha ciidamada, gaar ahaan 1.31µm band isgaarsiinta indhaha.

6. Furaha Q Passive: Nuugeeyaha GaAs waxaa loo isticmaalaa diode-pumped laysarka gobolka adag ee leh fur furka Q, kaas oo ku habboon mishiin-yar, kala duwan iyo qalliin-yar.

Codsiyadani waxay muujinayaan kartida GaAs laser epitaxial wafers ee noocyo badan oo codsiyo teknoolojiyad sare ah.

XKH waxay bixisaa gaAs wafers epitaxial oo leh qaabab kala duwan iyo dhumucyo ku habboon shuruudaha macaamiisha, oo daboolaya codsiyo badan oo kala duwan sida VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G saldhigyada, iwm. Badeecadaha XKH waxaa lagu soo saaraa qalab casri ah oo MOCVD ah si loo hubiyo waxqabadka sare iyo isku halaynta. Marka la eego saadka, waxaan leenahay tiro balaadhan oo ah kanaalada ilo caalami ah, si dabacsanaan kara u xamili kara tirada dalabaadka, iyo bixinta adeegyada qiimaha lagu daray sida khafiifinta, qaybinta, iwm. Hababka gaarsiinta hufan waxay hubisaa bixinta wakhtiga iyo buuxinta shuruudaha macaamiisha tayada iyo waqtiyada gaarsiinta. Imaanshaha ka dib, macaamiishu waxay heli karaan taageero farsamo oo dhamaystiran iyo adeeg iibka kadib si loo hubiyo in alaabta si habsami leh loo isticmaalo.