GaAs substrate-ka wafer-ka ee awoodda sare leh ee gallium arsenide wafer-ka awoodda leh ee laysarka hirarka 905nm ee daaweynta caafimaadka laysarka

GaAs substrate-ka wafer-ka epitaxial-ka ee awoodda sare leh ee gallium arsenide wafer-ka awoodda leh ee laysarka hirarka 905nm ee daaweynta caafimaadka laysarka Sawirka La Soo Bandhigay

Sharaxaad Gaaban:

Xaashida epitaxial ee laser-ka GaAs waxay tilmaamaysaa walax hal-bireed oo khafiif ah oo crystal ah oo ay samaysay tiknoolajiyada koritaanka epitaxial ee ku taal substrate-ka gallium arsenide (GaAs), kaas oo loo isticmaalo in lagu soo saaro aaladaha optoelectronic sida laysarka.
Laydhadhka awoodda leh ee GaAs 905 iyo jajabyada epitaxy ee awoodda sare leh ee GaAs waa laydhadh ku salaysan walxaha gallium arsenide (GaAs) waxaana si weyn loogu isticmaalaa meelo badan. Waferka epitaxial ee MOCVD waxaa inta badan loo isticmaalaa diode-ka laser-ka awoodda sare leh. Ceelka quantum ee InGaAs waxaa loo isticmaalaa lakabka firfircoon. Waferka epitaxial waxaa lagu falanqeeyaa PL, XRD, ECV iyo habab kale oo tijaabo ah. Laydhadhka awoodda leh ee GaAs 905 iyo jajabyada epitaxy ee awoodda sare leh ee GaAs ayaa si weyn loogu isticmaalaa cilmi-baarista caafimaadka, warshadaha, cilmi-baarista iyo meelaha kale sababtoo ah waxtarkooda sare, wax soo saarka awoodda sare leh iyo waxqabadka kulaylka wanaagsan, waxayna leeyihiin qiimo muhiim ah oo suuqa ah iyo awood farsamo.

Noo soo dir emayl

Astaamaha

Astaamaha ugu muhiimsan ee warqadda epitaxial laser-ka GaAs waxaa ka mid ah:

1. Dhaqdhaqaaqa elektarooniga oo sarreeya: Gallium arsenide wuxuu leeyahay dhaqdhaqaaq elektaroonig oo sarreeya, taasoo ka dhigaysa in wafer-yada epitaxial ee laser-ka GaAs ay leeyihiin codsiyo wanaagsan oo ku saabsan aaladaha soo noqnoqda sare iyo aaladaha elektarooniga ee xawaaraha sare leh.
2. Iftiinka wareegga tooska ah ee wareegga: Iyada oo ah walxo toos ah oo wareegga ah, gallium arsenide waxay si wax ku ool ah ugu beddeli kartaa tamarta korontada tamar iftiin ah aaladaha optoelectronic, taasoo ka dhigaysa mid ku habboon soo saarista laysarka.
3.Wavelength: Laser-yada GaAs 905 waxay caadi ahaan ku shaqeeyaan 905 nm, taasoo ka dhigaysa kuwo ku habboon codsiyo badan, oo ay ku jiraan daawada bayoolojiga.
4. Waxtar sare: iyadoo leh hufnaan sare oo sawir-qaadis ah, waxay si wax ku ool ah u beddeli kartaa tamarta korontada una beddeli kartaa wax soo saarka laysarka.
5. Wax soo saar koronto oo sarreeya: Waxay gaari kartaa wax soo saar koronto oo sarreeya waxayna ku habboon tahay xaaladaha codsiyada ee u baahan ilo iftiin oo xooggan.
6. Waxqabadka kuleylka wanaagsan: Agabka GaAs wuxuu leeyahay hab-socod kuleyl oo wanaagsan, taasoo gacan ka geysaneysa yareynta heerkulka shaqada ee laysarka iyo hagaajinta xasilloonida.
7. Ballaca la hagaajin karo: Awoodda wax soo saarka waxaa lagu hagaajin karaa iyadoo la beddelayo qulqulka wadista si loogu waafajiyo shuruudaha kala duwan ee codsiga.

Isticmaalka ugu muhiimsan ee kiniiniyada epitaxial ee laysarka GaAs waxaa ka mid ah:

1. Isgaarsiinta fiilada indhaha: Xaashida epitaxial ee laysarka GaAs waxaa loo isticmaali karaa in lagu sameeyo laysarka isgaarsiinta fiilada indhaha si loo gaaro gudbinta calaamadaha indhaha ee xawaaraha sare iyo masaafada dheer.

2. Codsiyada Warshadaha: Goobta warshadaha, xaashiyaha epitaxial ee laysarka GaAs waxaa loo isticmaali karaa kala-soocidda laysarka, calaamadaynta laysarka iyo codsiyada kale.

3. VCSEL: Laser-ka dusha sare ee daloolka toosan (VCSEL) waa goob muhiim ah oo lagu isticmaalo xaashida epitaxial ee laysarka GaAs, kaas oo si weyn loogu isticmaalo isgaarsiinta indhaha, kaydinta indhaha iyo dareenka indhaha.

4. Goobta Infrared-ka iyo barta: Xaashida epitaxial ee laysarka GaAs ayaa sidoo kale loo isticmaali karaa in lagu soo saaro laysarka infrared-ka, matoorada dhibcaha iyo aaladaha kale, iyadoo door muhiim ah ka ciyaareysa ogaanshaha infrared-ka, bandhigga iftiinka iyo goobaha kale.

Diyaarinta xaashida epitaxial ee laser-ka GaAs waxay inta badan ku xiran tahay tiknoolajiyada koritaanka epitaxial, oo ay ku jiraan dhigista uumiga kiimikada birta-organic (MOCVD), epitaxial-ka molecular beam epitaxial (MBE) iyo habab kale. Farsamooyinkani waxay si sax ah u xakamayn karaan dhumucda, halabuurka iyo qaab-dhismeedka kiristaalka ee lakabka epitaxial si loo helo xaashiyo epitaxial laser GaAs oo tayo sare leh.

XKH waxay bixisaa habayn ku saabsan xaashida epitaxial ee GaAs qaab-dhismeedyo iyo dhumucyo kala duwan, iyadoo daboolaysa codsiyo badan oo ku saabsan isgaarsiinta indhaha, VCSEL, goobaha infrared iyo nalka iftiinka. Badeecadaha XKH waxaa lagu soo saaraa qalab casri ah oo MOCVD ah si loo hubiyo waxqabad sare iyo isku hallayn. Marka laga hadlayo saadka, XKH waxay leedahay noocyo badan oo kanaallo caalami ah oo ilo ah, kuwaas oo si dabacsan u maarayn kara tirada dalabaadka, waxayna bixin karaan adeegyo qiimo leh sida hagaajinta iyo qaybinta. Hababka keenista hufan waxay hubiyaan keenista waqtiga ku habboon waxayna buuxiyaan shuruudaha macaamiisha ee tayada iyo waqtiyada keenista. Macaamiishu waxay heli karaan taageero farsamo oo dhammaystiran iyo adeeg iib kadib marka la yimaado si loo hubiyo in badeecada si habsami leh loo isticmaalo.