6 Inji 4H SEMI Nooca SiC substrate isku dhafan Dhumucda 500μm TTV≤5μm heerka MOS

Sharaxaad Gaaban:

Iyadoo la horumarinayo isgaarsiinta 5G iyo tignoolajiyada radar-ka, substrate-ka isku-dhafka ah ee 6-inji ah ee SiC ayaa noqday agab muhiim u ah soo saarista qalabka soo noqnoqda sare. Marka la barbardhigo substrate-yada dhaqameed ee GaAs, substrate-kani wuxuu ilaaliyaa iska caabin sare (>10⁸ Ω·cm) isagoo hagaajinaya gudbinta kulaylka in ka badan 5 jeer, taasoo si wax ku ool ah wax uga qabanaysa caqabadaha kala-baxa kulaylka ee aaladaha hirarka millimeter-ka. Aaladaha kor u qaada awoodda ee ku jira aaladaha maalinlaha ah sida taleefannada casriga ah ee 5G iyo terminaalka isgaarsiinta dayax-gacmeedka ayaa u badan tahay inay ku dhisan yihiin substrate-kan. Annagoo adeegsanayna tignoolajiyadayada gaarka ah ee "magdhawga dawada lakabka kaydka", waxaan hoos u dhignay cufnaanta micropipe-ka ilaa ka hooseysa 0.5/cm² waxaanan gaarnay khasaaro aad u hooseeya oo ah 0.05 dB/mm.

Noo soo dir emayl

Astaamaha

Xuduudaha farsamada

Alaabta	Faahfaahinta	Alaabta	Faahfaahinta
Dhexroorka	150±0.2 mm	Qalafsanaanta hore (Si-wejiga)	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)
Nooc polytype ah	4H	Jabka geeska, xoqidda, dildilaaca (kormeer muuqaal ah)	Midna ma jiro
Iska caabin	≥1E8 Ω·cm	TV-ga	≤5 μm
Dhumucda lakabka wareejinta	≥0.4 μm	Duub	≤35 μm
Madhan (2mm>D>0.5mm)	≤5 ea/Wafer	Dhumucda	500±25 μm

Astaamaha Muhiimka ah

1. Waxqabadka Soo noqnoqoshada Sare ee Gaarka ah
Substrate-ka isku-dhafka ah ee 6-inji ah ee SiC wuxuu adeegsadaa naqshad lakab dielectric ah oo heer sare ah, taasoo hubinaysa kala duwanaanshaha joogtada ah ee dielectric ee <2% ee Ka-band (26.5-40 GHz) iyo hagaajinta isku-xirnaanta marxaladda 40%. 15% waxay kordhisay hufnaanta iyo 20% isticmaalka korontada oo hooseeya ee modules-ka T/R iyadoo la adeegsanayo substrate-kan.

2. Maareynta Kulaylka ee Horumarka leh
Qaab-dhismeed isku-dhafan oo gaar ah oo "buundo kuleyl ah" ayaa suurtogal ka dhigaya in kulaylka dhinaca ah uu gaaro 400 W/m·K. Modules-ka saldhigga saldhigga 5G ee 28 GHz, heerkulka isgoysku wuxuu kor u kacaa 28°C oo keliya ka dib 24 saacadood oo hawlgal joogto ah—50°C ka hooseeya xalalka caadiga ah.

3. Tayada Wafer-ka Sare
Iyada oo loo marayo habka loo habeeyay ee loo yaqaan Physical Vapor Transport (PVT), waxaan ku gaarnaa cufnaanta kala-baxa <500/cm² iyo Kala duwanaanshaha Dhumucda Guud (TTV) <3 μm.
4. Habaynta Wax-soo-saarka ee Ku Habboon
Hawshayada daadinta laysarka ee si gaar ah loogu sameeyay substrate-ka SiC ee nus-insulating-ka ah ee 6-inji ah waxay hoos u dhigaysaa cufnaanta xaaladda dusha sare laba heer oo cabbir ah ka hor epitaxy.

Codsiyada ugu Muhiimsan

1. Qaybaha Aasaasiga ah ee Saldhigga Saldhigga 5G
Qalabka anteenooyinka MIMO ee Massive MIMO, aaladaha GaN HEMT ee ku jira substrate-ka SiC ee nus-insulating-ka ah ee 6-inji ah waxay gaaraan awood wax soo saar 200W ah iyo hufnaan ka badan 65%. Tijaabooyinka goobta ee 3.5 GHz waxay muujiyeen koror 30% ah oo ku yimid radius-ka daboolida.

2. Nidaamyada Isgaarsiinta Dayax-gacmeedka
Qalabka gudbinta dayax-gacmeedka ee dhulka hoose (LEO) ee isticmaalaya substrate-kan waxay muujinayaan EIRP ka sarreeya 8 dB oo ku jira Q-band (40 GHz) halka ay miisaanka hoos u dhigayaan 40%. Terminaalka SpaceX Starlink ayaa u isticmaalay wax soo saar ballaaran.

3. Nidaamyada Radar-ka Milatariga
Modules-yada T/R radar-ka ee marxaladaysan ee ku yaal substrate-kan waxay gaaraan ballaca 6-18 GHz iyo tirada buuqa oo hoos u dhacda ilaa 1.2 dB, taasoo fidinaysa heerka ogaanshaha 50 km nidaamyada radar-ka digniinta hore.

4. Radar-ka Millimeter-Move ee Gawaarida
Chips-yada radar-ka baabuurta ee 79 GHz oo isticmaalaya substrate-kan waxay hagaajiyaan xallinta xagasha ilaa 0.5°, iyagoo buuxinaya shuruudaha wadista iskeed u shaqeysa ee L4.

Waxaan bixinaa xal adeeg oo dhammaystiran oo loogu talagalay substrate-yada isku-dhafka ah ee SiC ee 6-inji ah. Marka la eego habaynta xuduudaha agabka, waxaan taageernaa nidaaminta saxda ah ee iska caabinta inta u dhaxaysa 10⁶-10¹⁰ Ω·cm. Gaar ahaan codsiyada militariga, waxaan ku bixin karnaa ikhtiyaar iska caabin aad u sarreeya oo ah >10⁹ Ω·cm. Waxay bixisaa saddex qeexitaan oo dhumucdiisu tahay 200μm, 350μm iyo 500μm isku mar, iyadoo dulqaadku si adag loo xakameeyo gudaha ±10μm, iyadoo la buuxinayo shuruudo kala duwan laga bilaabo aaladaha soo noqnoqda sare ilaa codsiyada awoodda sare leh.

Marka laga hadlayo hababka daaweynta dusha sare, waxaan bixinaa laba xal oo xirfad leh: Nadiifinta Mechanical-ka Kiimikada (CMP) waxay gaari kartaa simanaanta dusha sare ee atomiga iyadoo la adeegsanayo Ra <0.15nm, iyadoo buuxinaysa shuruudaha koritaanka epitaxial-ka ugu baahida badan; Tiknoolajiyadda daaweynta dusha sare ee diyaarsan ee epitaxial-ka ee loogu talagalay baahiyaha wax soo saarka degdegga ah waxay bixin kartaa dusha sare ee aadka u siman oo leh Sq <0.3nm iyo dhumucda oksaydhka haraaga ah <1nm, taasoo si weyn u fududaynaysa habka daaweynta kahor dhammaadka macmiilka.

XKH waxay bixisaa xalal dhammaystiran oo loo habeeyay oo loogu talagalay substrate-ka SiC ee nus-daboolaya ee 6-inji ah.

1. Habaynta Cabbirka Agabka
Waxaan bixinaa hagaajin iska caabin sax ah oo u dhaxaysa 10⁶-10¹⁰ Ω·cm, iyadoo la adeegsanayo ikhtiyaarro iska caabin oo gaar ah oo aad u sarreeya >10⁹ Ω·cm oo loo heli karo codsiyada militariga/hawada sare.

2. Tilmaamaha Dhumucda
Saddex ikhtiyaar oo dhumucdoodu caadi tahay:

· 200μm (loogu talagalay aaladaha soo noqnoqda sare)

· 350μm (qeexitaanka caadiga ah)

· 500μm (loogu talagalay codsiyada awoodda sare leh)
· Dhammaan noocyada kala duwan waxay ilaaliyaan dulqaadka dhumucda adag ee ±10μm.

3. Tiknoolajiyada Daaweynta Dusha Sare

Nadiifinta Farsamada Kiimikada (CMP): Waxay ku guuleysataa simanaanta dusha sare ee heerka atomiga iyadoo la adeegsanayo Ra <0.15nm, iyadoo buuxinaysa shuruudaha koritaanka epitaxial ee adag ee RF iyo aaladaha korontada.

4. Habaynta Dusha Sare ee Epi-Ready

· Waxay bixisaa dusha sare oo aad u siman oo leh qallafsanaan Sq<0.3nm ah

· Waxay xakameysaa dhumucda oksaydhka asalka ah ilaa <1nm

· Waxay meesha ka saartaa ilaa 3 tallaabo oo ka hor-samaynta xarumaha macaamiisha