2inch SiC ingot Dia50.8mmx10mmt 4H-N monocrystal

Sharaxaad Gaaban:

2-inji SiC (silikon carbide) ingot waxa loola jeedaa cylindrical ama block-qaabeeya hal kiristaalo oo silikoon carbide leh dhexroor ama cidhifka dhererka 2 inji. Silicon carbide ingots waxaa loo isticmaalaa sidii walxo bilow ah oo loogu talagalay soo saarista aaladaha kala duwan ee semiconductor, sida aaladaha elektiroonigga ah iyo aaladaha optoelectronic.


Faahfaahinta Alaabta

Tags Product

Tiknoolajiyada Kobaca ee SiC Crystal

Sifooyinka SiC waxay adkeynayaan inay koraan hal kiristaalo. Tani waxay inta badan sabab u tahay xaqiiqda ah in aysan jirin marxalad dareere ah oo leh saamiga stoichiometric ee Si: C = 1: 1 ee cadaadiska atmospheric, mana suurtogal ah in SiC ay ku koraan hababka kobaca ee qaan-gaarka ah, sida habka sawirka tooska ah iyo habka qulqulaya, kuwaas oo ah kuwa ugu muhiimsan ee warshadaha semiconductor. Aragti ahaan, xal leh saamiga stoichiometric ee Si: C = 1: 1 kaliya waxaa la heli karaa marka cadaadiska uu ka weyn yahay 10E5atm heerkulkuna uu ka sarreeyo 3200 ℃. Waqtigan xaadirka ah, hababka caadiga ah waxaa ka mid ah habka PVT, habka dareeraha-wejiga, iyo habka kaydinta kiimikada heerkulka-sare ee wajiga.

Wafers-yada SiC iyo kiristaalo aan bixino waxaa inta badan lagu beeraa gaadiidka uumiga jirka (PVT), iyo tan soo socota waa hordhac kooban oo PVT ah:

Gaadiidka uumiga jirka (PVT) wuxuu ka yimid farsamada gaaska-wejiga sublimation ee Lely ee 1955, kaas oo budada SiC lagu dhejiyo tuubo garaaf ah oo lagu kululeeyo heerkul sare si ay budada SiC u jajabiso oo hoos u dhigto, ka dibna tuubada graphite waa la qaboojiyey, iyo qaybaha gaaska ee burburay ee ku wareegsan budada SiC tuubada garaafka. Inkasta oo habkani ay adag tahay in la helo kiristaalo SiC ah oo weyn iyo habka dhigista gudaha tuubada garaafka waa ay adagtahay in la xakameeyo, waxay bixisaa fikrado cilmi-baarayaasha xiga.

YM Tairov iyo al. ee Russia soo bandhigay fikradda crystal abuurka ku salaysan this, kaas oo xalliyey dhibaatada qaabka crystal aan la koontarooli karin iyo booska nucleation ee kiristaalo SiC. Cilmi-baarayaashu waxay sii wadeen inay hagaajiyaan waxayna ugu dambeyntii sameeyeen habka wareejinta uumiga jirka (PVT) kaas oo maanta loo isticmaalo warshad ahaan.

Sida habka ugu horreeya ee koritaanka SiC crystal, PVT hadda waa habka kobaca ugu muhiimsan ee kiristaalo SiC. Marka la barbardhigo hababka kale, habkani wuxuu leeyahay shuruudo hoose oo loogu talagalay qalabka kobaca, habka kobaca fudud, xakamaynta xooggan, horumarinta iyo cilmi-baarista, oo horeyba loo warshadeeyay.

Jaantus faahfaahsan

asd (1)
asd (2)
sida (3)
asd (4)

  • Kii hore:
  • Xiga:

  • Halkan ku qor fariintaada oo noo soo dir