2 inch 50.8mm Sapphire Wafer C-Diyaarad M-diyaarad R-diyaarad A-diyaarad Dhumucdiisuna tahay 350um 430um 500um

2 inch 50.8mm Sapphire Wafer C-Diyaarad M-diyaarad R-diyaarad A-diyaarad dhumucdiisuna tahay 350um 430um 500um Sawirka

Sharaxaad Gaaban:

Sapphire waa walxo gaar ah oo isku jira jir, kiimiko iyo muuqaalo muuqaal ah, kuwaas oo ka dhigaya mid u adkaysata heerkulka sare, shoogga kulaylka, nabaad guurka biyaha iyo ciidda, iyo xoqidda.

Email noogu soo dir

Faahfaahinta Alaabta

Tags Product

Tilmaamaha hanuuninta kala duwan

Hanuuninta	C(0001)-Diidka		R(1-102)-Diidka		M (10-10) -Diidka	A(11-20)-Diidka
Hantida jirka	dhidibka C waxa uu leeyahay nal crystal ah, faasasyada kalena waxay leeyihiin iftiin taban. Diyaaradda C waa fidsan tahay, oo ay doorbidayso in la gooyo.		R-diyaarad inyar ka adag A.		Diyaaradda M ayaa lagu talaabsan karaa silig, ma fududa in la gooyo, fududahay in la gooyo.	Qalafsanaanta A-diyaaradaha ayaa si weyn uga sarreeya kan diyaaradda C-diyaarad, taas oo lagu muujiyo caabbinta xidhashada, caabbinta xoqan iyo adkaanta sare; Side A-diyaarad waa diyaarad zigzag ah, taas oo ay fududahay in la gooyo;
Codsiyada	Qaybaha sapphire-ka ee C-oriented ayaa loo isticmaalaa si ay u koraan III-V iyo II-VI filimada kaydka ah, sida gallium nitride, kaas oo soo saari kara alaabta LED buluug, diodes laser, iyo codsiyada infrared detector. Tani inta badan waa sababta oo ah habka koritaanka crystal sapphire weheliyaan C-dhidibka waa qaan, qiimaha waa mid aad u hooseeya, guryaha jireed iyo kiimiko waa deggan yihiin, iyo technology ee epitaxy on C-diyaarada waa qaan iyo xasilloon.		Kobaca substrate ku jihaysan ee kala duwan ee silikoon extrasystals oo kaydsan, oo loo isticmaalo microelectronics wareegyada isku dhafan. Intaa waxaa dheer, wareegyada isku dhafan ee xawaaraha sare leh iyo dareemayaasha cadaadiska ayaa sidoo kale lagu samayn karaa habka wax soo saarka filimka ee koritaanka silikon epitaxial. Substrate-ka nooca R ayaa sidoo kale loo isticmaali karaa soo saarista rasaasta, qaybaha kale ee kor u kaca, iska caabbinta sare ee caabbinta, gallium arsenide.		Waxaa inta badan loo isticmaalaa in lagu beero filimaanta Epitaxial GaN ee aan polar/semi-polar-ka ahayn si loo horumariyo waxtarka iftiinka.	A-ujeeda substrate-ka waxay soo saartaa ogolaansho/dhexdhexaad isku mid ah, iyo heer sare oo dahaar ah ayaa loo adeegsadaa tignoolajiyada isku-dhafka ah ee microelectronics. Heerkulka sare ee heerkulka sare ayaa laga soo saari karaa kiristaalo dhaadheer oo A-sal ah.
Awooda farsamaynta	Qaabka Sapphire Substrate (PSS): Qaabka Kobaca ama Etching, nanoscale gaar ah qaababka microstructure caadiga ah ayaa loogu talagalay oo lagu sameeyay substrate sapphire si loo xakameeyo qaabka wax soo saarka iftiinka ee LED, iyo in la yareeyo cilladaha kala duwan ee ka dhexeeya GaN koraya on substrate sapphire, hagaajin tayada epitaxy, iyo kor u quantum ee iftiinka gudaha iyo kordhinta hufnaan dheeraad ah LED. Intaa waxaa dheer, sapphire priism, muraayad, muraayad, dalool, koontada iyo qaybaha kale ee qaabdhismeedka ayaa loo habeyn karaa iyadoo loo eegayo shuruudaha macaamiisha.
Ku dhawaaqida hantida	Cufnaanta	Adag	dhibic dhalaalid	Tusmada dib-u-celinta (muuqaalka iyo infrared)	Gudbinta (DSP)	Dielectric joogto ah
Ku dhawaaqida hantida	3.98g/cm3	9 (mohs)	2053℃	1.762 ~ 1.770	≥85%	11.58@300K at dhidibka C (9.4 ee dhidibka A)

Jaantus faahfaahsan

avcasvb (1)

avcasvb (2)

avcasvb (3)

Kii hore: 8 inch Lithium Niobate Wafer LiNbO3 LN wafer

Xiga: 2 inch 50.8mm Dhumucdiisuna 0.1mm 0.2mm 0.43mm Sapphire Wafer C-Plane M-diyaarad R-diyaarad A-diyaarad

Halkan ku qor fariintaada oo noo soo dir

Qaybaha alaabta